Pločica je izrađena od čistog silicija (Si).Općenito podijeljen na specifikacije od 6 inča, 8 inča i 12 inča, pločica se proizvodi na temelju ove pločice.Silicijske pločice pripremljene od poluvodiča visoke čistoće kroz postupke kao što su izvlačenje kristala i rezanje nazivaju se pločice jerkoristiti su okruglog oblika.Različite strukture elemenata strujnog kruga mogu se obraditi na silikonskim pločicama kako bi postali proizvodi sa specifičnim električnim svojstvima.funkcionalni proizvodi s integriranim krugom.Vaferi prolaze kroz niz procesa proizvodnje poluvodiča kako bi formirali iznimno male strukture strujnih krugova, a zatim se režu, pakiraju i testiraju u čipove, koji se široko koriste u raznim elektroničkim uređajima.Pločasti materijali doživjeli su više od 60 godina tehnološke evolucije i industrijskog razvoja, formirajući industrijsku situaciju kojom dominira silicij i nadopunjuje se novim poluvodičkim materijalima.
80% mobilnih telefona i računala u svijetu proizvodi se u Kini.Kina se oslanja na uvoz za 95% svojih čipova visokih performansi, tako da Kina troši 220 milijardi američkih dolara svake godine na uvoz čipova, što je dvostruko više od kineskog godišnjeg uvoza nafte.Sva oprema i materijali koji se odnose na strojeve za fotolitografiju i proizvodnju čipova također su blokirani, poput pločica, metala visoke čistoće, strojeva za jetkanje itd.
Danas ćemo ukratko govoriti o principu brisanja UV svjetlom strojeva za vafle.Prilikom pisanja podataka, potrebno je ubrizgati naboj u pokretna vrata primjenom visokonaponskog VPP na vrata, kao što je prikazano na slici ispod.Budući da ubrizgani naboj nema energiju da probije energetski zid filma silicijevog oksida, on može samo održavati status quo, tako da naboju moramo dati određenu količinu energije!Tada je potrebno ultraljubičasto svjetlo.
Kada plutajuća vrata primaju ultraljubičasto zračenje, elektroni u plutajućim vratima primaju energiju kvanta ultraljubičastog svjetla, a elektroni postaju vrući elektroni s energijom da prodru kroz energetsku stijenku filma silicijeva oksida.Kao što je prikazano na slici, vrući elektroni prodiru kroz film silicijevog oksida, teku do supstrata i vrata te se vraćaju u izbrisano stanje.Brisanje se može izvršiti samo primanjem ultraljubičastog zračenja i ne može se elektronički brisati.Drugim riječima, broj bitova se može mijenjati samo od "1" do "0", i u suprotnom smjeru.Ne postoji drugi način osim brisanja cijelog sadržaja čipa.
Znamo da je energija svjetlosti obrnuto proporcionalna valnoj duljini svjetlosti.Da bi elektroni postali vrući elektroni i tako imali energiju da prodru kroz oksidni film, prijeko je potrebno zračenje svjetlom kraće valne duljine, odnosno ultraljubičastim zrakama.Budući da vrijeme brisanja ovisi o broju fotona, vrijeme brisanja se ne može skratiti niti na manjim valnim duljinama.Općenito, brisanje počinje kada je valna duljina oko 4000A (400nm).U osnovi doseže zasićenje oko 3000A.Ispod 3000 A, čak i ako je valna duljina kraća, to neće utjecati na vrijeme brisanja.
Standard za UV brisanje je općenito prihvaćanje ultraljubičastih zraka s preciznom valnom duljinom od 253,7 nm i intenzitetom od ≥16000 μW/cm².Operacija brisanja može se dovršiti vremenom izlaganja u rasponu od 30 minuta do 3 sata.
Vrijeme objave: 22. prosinca 2023